NVD4806NT4G-VF01

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NVD4806NT4G-VF01

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK

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  • Fr. Teil #NVD4806NT4G-VF01
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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 11.3A (Ta), 79A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 11.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 6mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 37 nC @ 11.5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2142 pF @ 12 V
PowerDissipation(Max) 1.4W (Ta), 68W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DPAK-3

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