NVD5802NT4G

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NVD5802NT4G

MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK

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Spezifikationen

Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Bulk
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 16.4A (Ta), 101A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 4.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 100 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5300 pF @ 12 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DPAK

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