NVD5862NT4G

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NVD5862NT4G

MOSFET N-CH 60V 18A/98A DPAK

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 18A (Ta), 98A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 5.7mOhm @ 48A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 82 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 6000 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 4.1W (Ta), 115W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DPAK

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