NVDSH20120C

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NVDSH20120C

SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tray
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Active
DiodeType Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 1200 V
Current-AverageRectified(Io) 26A (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.75 V @ 20 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 200 µA @ 1200 V
Capacitance@VrF 1480pF @ 1V, 100kHz
MountingType Through Hole
Package/Case TO-247-2
SupplierDevicePackage TO-247-2

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