NVH4L015N065SC1

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NVH4L015N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V

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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tray
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 142A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V, 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 18mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 4.3V @ 25mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 283 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4790 pF @ 325 V
PowerDissipation(Max) 500W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4L

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