NVH4L022N120M3S

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NVH4L022N120M3S

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

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  • Fr. Teil #NVH4L022N120M3S
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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tube
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 68A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 30mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 4.4V @ 20mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 151 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3175 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 352W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4L

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