NVHL020N090SC1

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NVHL020N090SC1

SICFET N-CH 900V 118A TO247-3

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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tube
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 900 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 118A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V
RdsOn(Max)@IdVgs 28mOhm @ 60A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 4.3V @ 20mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 196 nC @ 15 V
Vgs(Max) +19V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4415 pF @ 450 V
PowerDissipation(Max) 503W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-3

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