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NVMTS1D6N10MCTXG
PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD
- Herstelleronsemi
- Fr. Teil #NVMTS1D6N10MCTXG
- Paket
- Datenblatt NVMTS1D6N10MCTXG DataSheet
- Auf Lager21704
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Spezifikationen
Part Status | Active |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Ta), 273A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 90A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 650µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7630 pF @ 50 V |
Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 291W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Grade | Automotive |
Qualification | AEC-Q101 |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-DFNW (8.3x8.4) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
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