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NXH010P120MNF1PTG

PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tray
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Dual) Common Source
FETFeature	Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	114A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id	4.3V @ 40mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	454nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	4707pF @ 800V
Power-Max	250W (Tj)
OperatingTemperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount
Package/Case	Module

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