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NXH040P120MNF1PTG

PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MO

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tray
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Dual) Common Source
FETFeature	Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	30A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	56mOhm @ 25A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id	4.3V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	122.1nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1505pF @ 800V
Power-Max	74W
OperatingTemperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount
Package/Case	Module

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