NXPSC04650X6Q

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NXPSC04650X6Q

DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220F

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Spezifikationen

Supplier WeEn Semiconductors
Package Tube
ProductStatus Active
DiodeType Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 650 V
Current-AverageRectified(Io) 4A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.7 V @ 4 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 170 µA @ 650 V
Capacitance@VrF 130pF @ 1V, 1MHz
MountingType Through Hole
Package/Case TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
SupplierDevicePackage TO-220F

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