P1H06300D8

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P1H06300D8

GANFET N-CH 650V 10A DFN 8X8

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  • Fr. Teil #P1H06300D8
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Spezifikationen

Supplier PN Junction Semiconductor
Package Tape & Reel (TR)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 10A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.3V @ 1mA
Vgs(Max) +10V, -20V
PowerDissipation(Max) 55.5W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DFN8*8

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