P3M06060G7

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P3M06060G7

SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7

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  • Fr. Teil #P3M06060G7
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Spezifikationen

Supplier PN Junction Semiconductor
Package Tape & Reel (TR)
Series P3M
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 44A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V
RdsOn(Max)@IdVgs 79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 20mA (Typ)
Vgs(Max) +20V, -8V
PowerDissipation(Max) 159W
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage D2PAK-7

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