P3M06300D8

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P3M06300D8

SICFET N-CH 650V 9A DFN8*8

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Spezifikationen

Supplier PN Junction Semiconductor
Package Tape & Reel (TR)
Series P3M
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 9A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V
RdsOn(Max)@IdVgs 500mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 5mA
Vgs(Max) +20V, -8V
PowerDissipation(Max) 32W
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DFN8*8

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