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P3M12017K4

Name: P3M12017K4
Rating: 4.7 (12 reviews)

SICFET N-CH 1200V 151A TO-247-4

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Supplier	PN Junction Semiconductor
Package	Tube
Series	P3M
ProductStatus	Active
FETType	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	151A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	15V
RdsOn(Max)@IdVgs	24mOhm @ 75A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id	2.5V @ 75mA (Typ)
Vgs(Max)	+25V, -10V
PowerDissipation(Max)	789W
OperatingTemperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Through Hole
SupplierDevicePackage	TO-247-4L

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