P3M12080K4

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P3M12080K4

SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-4

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Spezifikationen

Supplier PN Junction Semiconductor
Package Tube
Series P3M
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 47A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V
RdsOn(Max)@IdVgs 96mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 2.4V @ 5mA (Typ)
Vgs(Max) +21V, -8V
PowerDissipation(Max) 221W
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4L

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