PMFPB6532UP,115

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PMFPB6532UP,115

MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6

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  • Fr. Teil #PMFPB6532UP,115
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Spezifikationen

Supplier NXP USA Inc.
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Obsolete
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.5A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.8V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 70mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 380 pF @ 10 V
FETFeature Schottky Diode (Isolated)
PowerDissipation(Max) 520mW (Ta), 8.3W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 6-HUSON (2x2)

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