QS5U16TR

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QS5U16TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

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  • Fr. Teil #QS5U16TR
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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 3.9 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 175 pF @ 10 V
FETFeature Schottky Diode (Isolated)
PowerDissipation(Max) 900mW (Ta)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TSMT5

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