QS8M31TR

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QS8M31TR

QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+

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Spezifikationen

Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N and P-Channel
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3A (Ta), 2A (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Power-Max 1.1W (Ta)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SMD, Flat Lead

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