QS8M51TR

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QS8M51TR

MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

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Spezifikationen

Part Status Active
Base Product Number QS8M51
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 325mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Power - Max 1.5W
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package 8-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package TSMT8
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

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