R6504ENJTL

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R6504ENJTL

MOSFET N-CH 650V 4A LPTS

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  • Fr. Teil #R6504ENJTL
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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 130µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 15 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 220 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 58W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage LPTS

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