R8007AND3FRATL

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R8007AND3FRATL

MOSFET N-CH 800V 7A TO252

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  • Fr. Teil #R8007AND3FRATL
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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 28 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 850 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 140W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-252

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