R8008ANX

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R8008ANX

MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM

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  • Fr. Teil #R8008ANX
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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Bulk
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 8A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.03Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 39 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1080 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 50W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220FM

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