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RGT30NS65DGTL
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
- HerstellerRohm Semiconductor
- Fr. Teil #RGT30NS65DGTL
- Paket D2PAK-3
- Datenblatt RGT30NS65DGTL DataSheet
- Auf Lager6205
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Spezifikationen
Package | Cut Tape (CT) |
ProductStatus | Not For New Designs |
IGBTType | Trench Field Stop |
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 650 V |
Current-Collector(Ic)(Max) | 30 A |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 45 A |
Vce(on)(Max)@VgeIc | 2.1V @ 15V, 15A |
Power-Max | 133 W |
InputType | Standard |
GateCharge | 32 nC |
Td(on/off)@25°C | 18ns/64ns |
TestCondition | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
ReverseRecoveryTime(trr) | 55 ns |
OperatingTemperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
MountingType | Surface Mount |
Package/Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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