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RJK0216DPA-00#J53

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Bulk
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature	Logic Level Gate, 4.5V Drive
DraintoSourceVoltage(Vdss)	25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	15A, 32A
RdsOn(Max)@IdVgs	9.2mOhm @ 7.5A, 10V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	6.2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1130pF @ 10V
Power-Max	10W, 20W
OperatingTemperature	150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	8-WFDFN

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