RJP020N06T100

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RJP020N06T100

MOSFET N-CH 60V 2A MPT3

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  • Fr. Teil #RJP020N06T100
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Spezifikationen

Part Status Active
Base Product Number RJP020
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4 V
Vgs (Max) ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package MPT3
Package TO-243AA
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

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