RM5A1P30S6

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RM5A1P30S6

MOSFET P-CH 30V 5.1A SOT23-6

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  • Fr. Teil #RM5A1P30S6
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Spezifikationen

Supplier Rectron USA
Package Tape & Reel (TR)
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5.1A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 32mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 250µA
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1280 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 1.56W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage SOT-23-6

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