RND030N20TL

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RND030N20TL

MOSFET N-CH 200V 3A CPT3

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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 870mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5.2V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6.7 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 270 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 850mW (Ta), 20W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage CPT3

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