RQ3L050GNTB

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RQ3L050GNTB

MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT

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  • Fr. Teil #RQ3L050GNTB
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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 12A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 61mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.8 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 300 pF @ 30 V
PowerDissipation(Max) 14.8W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-HSMT (3.2x3)

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