RS1E301GNTB1

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RS1E301GNTB1

MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP

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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 30A (Ta), 80A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 39.8 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2500 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 3W (Ta)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-HSOP

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