RT1C060UNTR

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RT1C060UNTR

MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST

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  • Fr. Teil #RT1C060UNTR
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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 28mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 11 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 870 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 650mW (Ta)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-TSST

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