RTU002P02T106

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RTU002P02T106

MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3

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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 250mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.5Ohm @ 250mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 1mA
Vgs(Max) ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 50 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 200mW (Ta)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage UMT3

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