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RZM002P02T2L

MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Part Status	Active
FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	115 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	150mW (Ta)
Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	VMT3
Package / Case	SOT-723
Base Product Number	RZM002

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