SCT015W120G3-4AG

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SCT015W120G3-4AG

TO247-4

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Spezifikationen

Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 129A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.2V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 167 nC @ 18 V
Vgs (Max) +22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3512 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 673W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Grade Automotive
Qualification AEC-Q101
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-4
Package / Case TO-247-4

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