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SCT040W120G3-4AG

TO247-4

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Part Status	Active
FET Type	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54mOhm @ 16A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.2V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1329 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max)	312W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q101
Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247-4
Package / Case	TO-247-4

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