SCT20N120

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SCT20N120

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

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Spezifikationen

Supplier STMicroelectronics
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 290mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 45 nC @ 20 V
Vgs(Max) +25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 650 pF @ 400 V
PowerDissipation(Max) 175W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 200°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage HiP247™

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