SCT2280KEHRC11

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SCT2280KEHRC11

1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

  • Hersteller
  • Fr. Teil #SCT2280KEHRC11
  • Paket
  • Datenblatt
  • Auf Lager7996

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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tube
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 364mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 1.4mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36 nC @ 400 V
Vgs(Max) +22V, -6V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 667 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 108W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247N

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