SCT2450KEHRC11

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SCT2450KEHRC11

1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE

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365 Tage Garantie

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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tube
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 10A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 585mOhm @ 3A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 900µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 27 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -6V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 463 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 85W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247N

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