SCT2H12NYTB

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SCT2H12NYTB

SICFET N-CH 1700V 4A TO268

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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1700 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 410µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 14 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -6V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 184 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 44W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-268

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