SCT3080ALGC11

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SCT3080ALGC11

SICFET N-CH 650V 30A TO247N

  • Hersteller
  • Fr. Teil #SCT3080ALGC11
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  • Datenblatt
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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 30A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 5.6V @ 5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 48 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -4V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 571 pF @ 500 V
PowerDissipation(Max) 134W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247N

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