SCT4018KRC15

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SCT4018KRC15

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

  • Hersteller
  • Fr. Teil #SCT4018KRC15
  • Paket
  • Datenblatt
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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 81A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 23.4mOhm @ 42A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 4.8V @ 22.2mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 170 nC @ 18 V
Vgs(Max) +21V, -4V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4532 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 312W
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4L

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