SCT4062KEC11

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SCT4062KEC11

1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

  • Hersteller
  • Fr. Teil #SCT4062KEC11
  • Paket
  • Datenblatt
  • Auf Lager4133

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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 26A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 81mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 4.8V @ 6.45mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 64 nC @ 18 V
Vgs(Max) +21V, -4V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1498 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 115W
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247N

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