SCTW70N120G2V

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SCTW70N120G2V

TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247

  • Hersteller
  • Fr. Teil #SCTW70N120G2V
  • Paket
  • Datenblatt
  • Auf Lager152

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Spezifikationen

Supplier STMicroelectronics
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 91A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 30mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 4.9V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 150 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3540 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 547W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 200°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage HiP247™

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