SCTWA70N120G2V-4

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SCTWA70N120G2V-4

DISCRETE

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Spezifikationen

Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 91A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 18 V
Vgs (Max) +22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3540 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 547W
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-4
Package / Case TO-247-4
Base Product Number SCTWA70

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