SCTWA90N65G2V

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SCTWA90N65G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

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  • Fr. Teil #SCTWA90N65G2V
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Spezifikationen

Supplier STMicroelectronics
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 119A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 24mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 157 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3380 pF @ 400 V
PowerDissipation(Max) 565W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 200°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247 Long Leads

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