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SGL0622Z
5-4000 MHZ SIGE HBT MMIC LNA
- Hersteller
- Fr. Teil #SGL0622Z
- Paket
- Datenblatt SGL0622Z DataSheet
- Auf Lager27827
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Spezifikationen
| Part Status | Active |
| Frequency | 5MHz ~ 4GHz |
| P1dB | 6dBm |
| Gain | 31dB |
| Noise Figure | 1.4dB |
| RF Type | ISM, WiMax |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Current - Supply | 10.5mA |
| Test Frequency | 1.575GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-VFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 8-DFN (2x2) |
Übersicht
Description
Features
1. High Energy Density: Offers significant energy storage capacity, ensuring extended usage time.
2. Fast Charging Capability: Designed for quick recharge cycles, reducing downtime.
3. Safety Features: Equipped with built-in protection mechanisms against overcharge, over-discharge, and short circuits.
4. Long Lifespan: Engineered for durability, providing a high number of charge cycles.
5. Compact Design: Lightweight and space-efficient, making it suitable for various installations.
6. Temperature Resistance: Operates effectively across a wide temperature range, ensuring reliability in diverse environments.
7. Smart Technology: Often includes battery management systems (BMS) for monitoring and optimizing performance.
These features make the SGL0622Z suitable for demanding applications, enhancing efficiency and safety in energy management.
Package
Pinout
The pin functions are as follows:
1. Gate (G) - Controls the on/off state of the MOSFET.
2. Drain (D) - Connects to the load; current flows out of this terminal when the MOSFET is on.
3. Source (S) - Connects to ground or the negative side of the circuit.
4. Drain (D) - Second drain pin for enhanced current handling and thermal performance.
5. Source (S) - Second source pin for improved thermal management.
6. Gate (G) - Second gate pin for better drive capability.
7. Tab - Connected to the source for heat dissipation.
This configuration allows for efficient power management in various electronic applications.
Manufacturer
Application
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