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SGS10N60RUFDTU
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- HerstellerFairchild Semiconductor
- Fr. Teil #SGS10N60RUFDTU
- Paket TO-220-3 FullPak
- Datenblatt SGS10N60RUFDTU DataSheet
- Auf Lager3121
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Spezifikationen
Package | Bulk |
ProductStatus | Active |
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 600 V |
Current-Collector(Ic)(Max) | 16 A |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 30 A |
Vce(on)(Max)@VgeIc | 2.8V @ 15V, 10A |
Power-Max | 55 W |
SwitchingEnergy | 141µJ (on), 215µJ (off) |
InputType | Standard |
GateCharge | 30 nC |
Td(on/off)@25°C | 15ns/36ns |
TestCondition | 300V, 10A, 20Ohm, 15V |
ReverseRecoveryTime(trr) | 60 ns |
OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
MountingType | Through Hole |
Package/Case | TO-220-3 Full Pack |
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