SH8KA2GZETB

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SH8KA2GZETB

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Cut Tape (CT)
ProductStatus Not For New Designs
FETType 2 N-Channel (Dual)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 8A
RdsOn(Max)@IdVgs 28mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 330pF @ 15V
Power-Max 2.8W
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

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