SI1002R-T1-GE3

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SI1002R-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A

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  • Fr. Teil #SI1002R-T1-GE3
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Spezifikationen

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR)
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 610mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 560mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2 nC @ 8 V
Vgs(Max) ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 36 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 220mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage SC-75A

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