SI1405BDH-T1-GE3

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SI1405BDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

  • Hersteller
  • Fr. Teil #SI1405BDH-T1-GE3
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Spezifikationen

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 8 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.6A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.8V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 950mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 305 pF @ 4 V
PowerDissipation(Max) 1.47W (Ta), 2.27W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage SC-70-6

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